第一八零章 FinFET工艺
王岸然无心公司的日常事务,每一项决策都是选择题,虽然有前世的见识,大部分他可以很容易选出最佳的答案。
不过在人事,销售,团队培养,金融等各方面,他还是小白的存在。
事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验,虽然混上了AMD的高层,但也仅仅是技术大拿。
相比于坐在办公室签字,他更喜欢留在实验室内,解决一个接着一个的技术难题。
此刻,最让他感兴趣的,莫过于芯片制造。
华芯科技的芯片加工厂已经进行了生产调试,三条生产线的表现有所差异。
来自东芝的芯片生产线,试生产的良品率就达到了60%以上,而IBM的生产线,良品率也达到了40%以上。
技术人员已经严格按操作规程作业,但要知道,芯片生产几百道工序,每道工序即便达到99%的成功率,累计到300个指数等级下去,良品率将不足0.1%。
所以每一道工序必须保证99.999999……%的准确率。
可想而知,要保证良品率,得需要付出多大的努力。
在东芝技术人员的帮助下,对Intel转让的金属铝物理气相沉积技术进行改进,效果出人意料的好。
为此,王岸然还和东芝签定了补充协议,以五百万美元的代价,邀请东芝的技术人员帮忙消化Intel的技术。
事实上,王岸然非常喜欢和东芝这样的公司打交道,只要有钱,总能在尽可能程度上满足你的需求,而且不折不扣。
现在的东芝日子可不好过,因为卖给苏联五轴联动机床的事,到现在老美都不愿意放过他,东芝的产品在美国是不允许售卖的,要知道这个时候的美国,是全世界半导体最大的市场,直接砍断,对东芝的影响力可谓空前。
再加上美利坚的小弟英格兰,为了表现自己对老大的衷心,带头对东芝进行封杀,还煽动英联邦的成员对东芝进行制裁。
一时间,东芝损失了全球大半的市场,以至于每年的财报上都是一长串的赤字。
与华芯科技的合作,总共可是涉及了上亿美元,这是大生意,对现在的东芝而言,尤为重要。
而且金属铝连接技术可是你Intel转让的,跟东芝可没关系,东芝要做的,就是当一个老师,把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。
两家公司一拍即合,顺利达成意向。
当然如果这么简单,华芯科技这五百万美元,花的可就有点冤枉了,成套的铝金属连接技术,只要花时间,总能得到解决。
在王岸然的办公室,东芝的技术代表桥本龟太郎,鞠躬鞠的王岸然头晕。
“岸然君,贵方要求的,与东芝公司成立合作研究机构,致力于半导体芯片加工中,金属铜物理气相沉积PDV的研究,已经得到公司的审批,东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”
王岸然站起身来,跟桥本龟太郎热情的握了握手。
这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权,加上1000万美金的技术服务费才达成的。
价值人民币上亿,贵可能贵了点,不过王岸然认为有价值,这就已经足够了。
于此同时,浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程,让王岸然苦恼的是,他找不到合适的技术带头人,所以一直无法推进。
不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺,王岸然觉的大有可为。
FinField_EffectTransistor鳍式场效应晶体管,相比与MOS晶体管而言,这是一款新型的晶体管模式。
是有华人科学家胡正明教授提出,并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下,可以在相同的面积内塞进更多的晶体管,而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟,他本是Intel于2011年第一次推出,用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上,随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高,工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言,技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术,以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言,FinFET技术犹如小学生的作业题,在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP,一旦得到攻克,王岸然有信心在不调整硬件的基础上,实现800纳米制造工艺的突破,并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认,需要理论方面的支持,基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年,如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师,对BSIM不了解,那他肯定是混日子的。
BSIM逻辑电路设计模型在基于FinFET工艺中的作用不可替代,王岸然自然不陌生,甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。
不过就这样堂而皇之的拿出来,多有不方便之处。
为此王岸然专门成立了FinFET专用研究实验室,召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。
“大家很清楚,我们的制造工艺,比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代,比起国外最新的尖端研究,那不知道落后多少代了。
今天我召集大家来到这里,就是要开展一项FinFET工艺的开发,我可以很自豪的告诉大家,在这方面,我们走到了全世界的前列。”
王岸然的话成功了煽动了大家的热情,对于大多人人来说,对Fin并不陌生,关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。
可以在这项新的理论模型下,进行实际应用的研究,也是一件令人振奋的事。
就在王岸然正在埋头进行FinFET工艺模型架构的创建之时,一则消息打破了他的平静。
“王总,德州仪器CEO安德森已经抵达了燕京,他希望就合作事宜,尽快与你进行会面。”
合作!拿技术来合作啊,华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。
王岸然点点头,对张磊说道:“联系技术部,雷总,明天上午九点开会,这次我们要好好讨论一下,该要点什么?”
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不过在人事,销售,团队培养,金融等各方面,他还是小白的存在。
事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验,虽然混上了AMD的高层,但也仅仅是技术大拿。
相比于坐在办公室签字,他更喜欢留在实验室内,解决一个接着一个的技术难题。
此刻,最让他感兴趣的,莫过于芯片制造。
华芯科技的芯片加工厂已经进行了生产调试,三条生产线的表现有所差异。
来自东芝的芯片生产线,试生产的良品率就达到了60%以上,而IBM的生产线,良品率也达到了40%以上。
技术人员已经严格按操作规程作业,但要知道,芯片生产几百道工序,每道工序即便达到99%的成功率,累计到300个指数等级下去,良品率将不足0.1%。
所以每一道工序必须保证99.999999……%的准确率。
可想而知,要保证良品率,得需要付出多大的努力。
在东芝技术人员的帮助下,对Intel转让的金属铝物理气相沉积技术进行改进,效果出人意料的好。
为此,王岸然还和东芝签定了补充协议,以五百万美元的代价,邀请东芝的技术人员帮忙消化Intel的技术。
事实上,王岸然非常喜欢和东芝这样的公司打交道,只要有钱,总能在尽可能程度上满足你的需求,而且不折不扣。
现在的东芝日子可不好过,因为卖给苏联五轴联动机床的事,到现在老美都不愿意放过他,东芝的产品在美国是不允许售卖的,要知道这个时候的美国,是全世界半导体最大的市场,直接砍断,对东芝的影响力可谓空前。
再加上美利坚的小弟英格兰,为了表现自己对老大的衷心,带头对东芝进行封杀,还煽动英联邦的成员对东芝进行制裁。
一时间,东芝损失了全球大半的市场,以至于每年的财报上都是一长串的赤字。
与华芯科技的合作,总共可是涉及了上亿美元,这是大生意,对现在的东芝而言,尤为重要。
而且金属铝连接技术可是你Intel转让的,跟东芝可没关系,东芝要做的,就是当一个老师,把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。
两家公司一拍即合,顺利达成意向。
当然如果这么简单,华芯科技这五百万美元,花的可就有点冤枉了,成套的铝金属连接技术,只要花时间,总能得到解决。
在王岸然的办公室,东芝的技术代表桥本龟太郎,鞠躬鞠的王岸然头晕。
“岸然君,贵方要求的,与东芝公司成立合作研究机构,致力于半导体芯片加工中,金属铜物理气相沉积PDV的研究,已经得到公司的审批,东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”
王岸然站起身来,跟桥本龟太郎热情的握了握手。
这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权,加上1000万美金的技术服务费才达成的。
价值人民币上亿,贵可能贵了点,不过王岸然认为有价值,这就已经足够了。
于此同时,浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程,让王岸然苦恼的是,他找不到合适的技术带头人,所以一直无法推进。
不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺,王岸然觉的大有可为。
FinField_EffectTransistor鳍式场效应晶体管,相比与MOS晶体管而言,这是一款新型的晶体管模式。
是有华人科学家胡正明教授提出,并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下,可以在相同的面积内塞进更多的晶体管,而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟,他本是Intel于2011年第一次推出,用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上,随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高,工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言,技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术,以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言,FinFET技术犹如小学生的作业题,在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP,一旦得到攻克,王岸然有信心在不调整硬件的基础上,实现800纳米制造工艺的突破,并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认,需要理论方面的支持,基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年,如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师,对BSIM不了解,那他肯定是混日子的。
BSIM逻辑电路设计模型在基于FinFET工艺中的作用不可替代,王岸然自然不陌生,甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。
不过就这样堂而皇之的拿出来,多有不方便之处。
为此王岸然专门成立了FinFET专用研究实验室,召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。
“大家很清楚,我们的制造工艺,比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代,比起国外最新的尖端研究,那不知道落后多少代了。
今天我召集大家来到这里,就是要开展一项FinFET工艺的开发,我可以很自豪的告诉大家,在这方面,我们走到了全世界的前列。”
王岸然的话成功了煽动了大家的热情,对于大多人人来说,对Fin并不陌生,关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。
可以在这项新的理论模型下,进行实际应用的研究,也是一件令人振奋的事。
就在王岸然正在埋头进行FinFET工艺模型架构的创建之时,一则消息打破了他的平静。
“王总,德州仪器CEO安德森已经抵达了燕京,他希望就合作事宜,尽快与你进行会面。”
合作!拿技术来合作啊,华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。
王岸然点点头,对张磊说道:“联系技术部,雷总,明天上午九点开会,这次我们要好好讨论一下,该要点什么?”
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